干法刻蚀
干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Pla**a Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，离子束刻蚀机多少钱，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，离子束刻蚀机价格，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成，离子束刻蚀机，图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时，首先将真空室的压力抽至2×10-3Pa或更低，再调节Ar气流量，使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2Pa(如需要辅助气体，如O2、CH2等，则可按一定比例与之混合)， 然后启动离子源各电源，使离子源正常工作，从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后，轰击工件进行溅射刻蚀。
影响离子束刻蚀的因素
影响刻蚀效果的因素很多，还有诸如离子刻蚀的二次效应、光刻胶掩模图形的形状和厚度、源靶距效应、离子刻蚀弓起的材料损伤及温度效应等。
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