磁控溅射装置-创世威纳科技

磁控溅射镀膜机工艺

（1）技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： （a）陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体）； （b）反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 （c）离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。

（2）新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是采用新型反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。

想要了解更多 磁控溅射镀膜机的相关内容，请及时关注创世威纳网站。

磁控溅射镀膜机的工作原理

控溅射原理电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与原子发生碰撞，电离出大量的离子和电子，电子飞向基片。离子在电场的作用下加速轰击靶材，磁控溅射装置，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与原子发生碰撞电离出大量的离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在此原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。

想要了解更多 磁控溅射镀膜机的相关内容，请及时关注创世威纳网站。

磁控溅射镀膜的特点

1、靶材粒子能量高（比热蒸发高出1个数量级），所制备膜层更致密，与石英片结合力更高：

2、一般备有辅助离子源，可以用来清洗石英片，清洗效果好；

3、易于制备熔点高的材料；

4、制备合金膜层，可以保证膜层材料比例与靶材相同；

5、由于装有中和器，也可以用来制备绝缘膜层。

创世威纳本着多年 磁控溅射镀膜机行业经验，专注 磁控溅射镀膜机研发定制与生产，**的 磁控溅射镀膜机生产设备和技术，建立了严格的产品生产体系，想要更多的了解，欢迎咨询图片上的**电话！！！