大功率对管-ASEMI-MUR20100CT大功率对管

编辑-ll

摘要 : 导读：ASEMI半导体之肖特基二极管系列：产品特性以及应用注意事项。ASEMI半导体主营肖特基二极管和快**二极管，肖特基二极管相比较普通的二极管，有着较多优点，的是就是反向恢

导读：ASEMI半导体之肖特基二极管系列：产品特性以及应用注意事项。ASEMI半导体主营肖特基二极管和快**二极管，肖特基二极管相比较普通的二极管，有着较多优点，的是就是反向**时间短，MUR20100CT大功率对管，也正因为如此，ASEMI半导体肖特基二极管就成了许多客户钟爱的二极管系列。

我们一起来了解一下肖特基二极管的产品特性：肖特基二极管的正向压降比快**二极管正向压降要低很多，因此，它自身消耗的功率较低，效率也相对加高。因为肖特基二极管的反向电荷回复时间较短，所以它适合在高频的状态下工作。

其次，肖特基二极管能够耐受高浪涌电流，现在的ASEMI半导体肖特基二极管已经可以做到了1000V的反向耐压值，结温也高，-50℃到175℃都不在话下。

既然肖特基二极管如此好，那么在使用过程中，有没有需要注意的地方呢？

首先应当注意的是，应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的反向击穿电压，MUR3060PT大功率对管，同时，应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的结温。如果说使用的环境较为苛刻，那么为了保证肖特基二极管的可靠性，应该采用降额的方法进行谨慎使用。

编辑-LL

摘要 : 【干的干货】ASEMI半导体桥堆产品好坏测试之电阻测试法，台湾ASEMI品牌整流桥，原装芯片与生产工艺，20年研发制造，质量稳定真"芯".ASEMI半导体产品好坏测试之电阻测试法.

    【工程师告诉您：台湾ASEMI半导体半导体产品测试好坏的方法】

      台湾ASEMI半导体是鼎芯股份旗下从事电源整流器件开发的品牌，其整流桥产品广泛应用在众多品牌电器电源产品当中，于是很多搞工程维修的人员经常需要通过判断桥堆的好坏来排查电路中存在的问题。对于非人员来说怎么测试其好坏常常都很犯难，那么ASEMI整流桥如何判断好坏呢？今天就为大家带来整流桥测试法之--电阻测试法。

    【干干货：ASEMI半导体测试法之--电阻测试法】

       首先我们将万用表的档位打到电阻档位，一般200K欧姆档都可以。然后用红色探笔接桥堆的负极，黑色探头任意测整流桥交流脚位，此时有读值则说的该单颗二极管是正常的，大功率对管，倘若读值为无穷大，则说明该颗二极管已坏。同理的方法我将红笔接桥堆的正极，黑笔探头任意接整流桥的交流脚位，此时有读值则说明该颗二极管的正常的，倘若读值为无穷大这说明该二极管已坏。这样我们就可以判断到每一颗芯片是否为正常状态。

编辑-LL

摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二极管工作原理来理解一下二极管的反向击穿

在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，MURF1640CT大功率对管，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结损坏