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北京创世威纳科技有限公司

普通会员5
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企业等级:普通会员
经营模式:生产加工
所在地区:北京 北京
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手机号码:13146848685
公司官网:www.weinaworld.com.cn
企业地址:北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层
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企业概况

北京创世威纳科技有限公司成立于2008年,现位于北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层,拥有1800余平方米的组装、调试车间、办公区,现在我们更专注于真空等离子体技术,成为集研发、设计、生产、销售于一体的设备制造商。公司通过了ISO质量管理体系认证,获批高新技术企业,拥有4项发明专利......

聚焦离子束刻蚀机供应商-聚焦离子束刻蚀机-创世威纳公司

产品编号:1000000000001343156                    更新时间:2020-12-21
价格: 来电议定
北京创世威纳科技有限公司

北京创世威纳科技有限公司

  • 主营业务:磁控溅射镀膜机,电子束/热阻蒸发机,ICP,RIE,IBE
  • 公司官网:www.weinaworld.com.cn
  • 公司地址:北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层

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苏经理 13146848685

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产品详情






离子束刻蚀机

离子束刻蚀是通过物理溅射功能进行加工的离子铣。国内应用广泛的双栅考夫曼刻蚀机通常由屏栅和加速栅组成离子光学系统,其工作台可以方便地调整倾角,使碲镉gong基片法线与离子束的入射方向成θ角,并绕自身的法线旋转,聚焦离子束刻蚀机供应商,如图1所示。评价沟槽轮廓主要的参数有沟槽的开口宽度We、沟槽的刻蚀深度H、台面的坡度角φ和沟槽底部的宽度Wb。我们常用的深宽比(Aspectratio)是指槽深H和槽开口宽度We的比值,本文中用R表示。深宽比是常用来作为衡量刻蚀工艺水平和刻蚀图形好坏的评价参数。










刻蚀气体的选择

对于多晶硅栅电极的刻蚀,腐蚀气体可用Cl2或SF6,要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2;刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2;刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2;刻蚀Al(或Al-Si-Cu合金)的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4;刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4;刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料,可选择气体种类较多,比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为:CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e,SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应, 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3]  。

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刻蚀过程

普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性**,聚焦离子束刻蚀机报价,由于抗蚀剂层的已**部分和未**部分在显影液中溶解速度不同,聚焦离子束刻蚀机,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。

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