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摘要 : 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。我们从二极管工作原理来理解一下二极管的反向击穿
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，*坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 另一种雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，ES1J超快**二极管，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结损坏
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摘要 : 导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导
导读：ASEMI半导体强势回归--揭秘半导体命名方法。本篇ASEMI半导体将带领大家一起了解，各地对于半导体各种元器件的命名方法，超快**二极管，揭开半导体元器件的神秘面纱，帮助更多半导体从业者和爱好者，好地方便的辨认各国元器件真伪以及快速的选型。
开头先讲的，US1G超快**二极管，是包括ASEMI半导体在内的我们半导体。
半导体器件型号由五部分组成，并且这五部分的命名都有各自的含义。同时需要跟大家强调的是，场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件这几种特殊的型号命名只有第三、四、五部分。接下来就让我们一起来看看这五部分究竟是什么吧~
首先是：用数字表示半导体器件中的有效电极数目。比如说2是代表着二极管、3则是代表着三极管；第二部分：半导体传统情况下会用汉语的拼音字母表示半导体器件的材料和极性；第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型，比如说P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流桥堆；第四部分：用数字表示序号；第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 。
之外，半导体发展迅速的可以说是大家耳熟能详的美国，ASEMI半导体生产基地所在的地区就是被称为，那么真正的硅谷是在哪里呢？对了，就是美国，美国半导体的发展一直以为都是属于前茅，但是美国半导体的命名却比较混乱。同样也有五部分组成：
部分：用符号表示器件用途的类型。
第2部分：用数字表示pn结数目。
第3部分：美国电子工业协会注册标志。
第4部分：美国电子工业协会登记顺序号。
第5部分：用字母表示器件分档。
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摘要 : 【干的干货】ASEMI半导体桥堆产品好坏测试之电阻测试法，台湾ASEMI品牌整流桥，原装芯片与生产工艺，20年研发制造，质量稳定真"芯".ASEMI半导体产品好坏测试之电阻测试法.
【工程师告诉您：台湾ASEMI半导体半导体产品测试好坏的方法】
台湾ASEMI半导体是鼎芯股份旗下从事电源整流器件开发的品牌，其整流桥产品广泛应用在众多品牌电器电源产品当中，于是很多搞工程维修的人员经常需要通过判断桥堆的好坏来排查电路中存在的问题。对于非人员来说怎么测试其好坏常常都很犯难，那么ASEMI整流桥如何判断好坏呢？今天就为大家带来整流桥测试法之--电阻测试法。
【干干货：ASEMI半导体测试法之--电阻测试法】
首先我们将万用表的档位打到电阻档位，一般200K欧姆档都可以。然后用红色探笔接桥堆的负极，1N4007_超快**二极管，黑色探头任意测整流桥交流脚位，此时有读值则说的该单颗二极管是正常的，倘若读值为无穷大，则说明该颗二极管已坏。同理的方法我将红笔接桥堆的正极，黑笔探头任意接整流桥的交流脚位，此时有读值则说明该颗二极管的正常的，倘若读值为无穷大这说明该二极管已坏。这样我们就可以判断到每一颗芯片是否为正常状态。
ASEMI(图)-1N4007超快**二极管-超快**二极管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司是一家从事“电源IC,整流桥,肖特基,快**全系列”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“强元芯”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务为先，用户至上”的原则，使鼎芯实业在二极管中赢得了众的客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！同时本公司还是从事贴片整流桥，贴片整流桥厂家，贴片整流桥定制的厂家，欢迎来电咨询。
