IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，DDR存储器加工，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性：
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比：
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
因为在我国半导体材料关键集成ic产出率仍然较低，很多集成ic仍依靠進口，据新材料显示信息，17年我国集成电路芯片進口使用价值为2，601亿美金，远远超过了石油，DDR存储器，是在我国第*大进口产品。
在其中CPU、GPU、通用性电子控制系统中的FPGA/DSP、通讯装备中的MPU和DSP、储存设备中的DRAM和NandFlash、也有显示设备中的DisplayDriver，这种商品的经销商還是以英国、日本、日本国及在我国台湾省主导，全力以赴促进半导体产业国内生产制造的，非常是显示信息控制面板驱动器IC的国内生产制造的，是现阶段的重中之重。
LED器件对驱动电源的要求几乎是苛刻的，与普通白炽灯泡不同的是，LED可以与220V交流电力直接连接。发光二极管是低电压驱动，需要设计复杂的转换电路，LED灯有不同的用途，DDR存储器多少钱，电源适配器也有不同的配置。一个好的电源设计必须综合考虑各种因素，如效率转换，有效功率，恒流精度，电源寿命，电磁兼容性等，因为电源在整个灯具中的作用如同人的心脏一样重要。
