氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。氧化锌的热稳定性和热传导性较好，而且沸点高，热膨胀系数低，在陶瓷材料领域有用武之地。
氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是移动通讯基片材料和闪烁材料。氧化锌也被用于混凝土生产，因为它帮助提高混凝土耐水性和改善需要的加工时间。这种无机化合物另外一个重要用途是作为烟过滤剂。在室温下，ZnO晶体价格，氧化锌的能带隙约为3.3 eV，因此，纯净的氧化锌是无色透明的。高能带隙为氧化锌带来击穿电压高、维持电场能力强、电子噪声小、可承受功率高等优点。
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)。大尺寸氧化锌晶体的形态可控生长的关键是控制成核和生长过程。晶核的结晶形态决定着晶体的形态，生长过程的环境条件也影响着晶体的生长过程。ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义。目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法。
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