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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造（5.6-9.0 PPM/℃） 。激光模具通常是建立在GaAs基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟（InGaP) 。近，铟家氮化物（InGaN）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
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中钨铜合金相对密度也仅为97%。为了改善其密度和性能通常在合金中添加合金元素镍。然而镍的添加严重降低材料的导电性。钨粉的纯度以及含氧量是保证钨粉良好的浸润性、达到好的渗铜效果的前提， 钨粉的含氧量增加，使钨粉以及铜粉之间的液相浸润角增大， 浸润性变坏，当含氧量大于0.5%时，浸铜试样出现严重的夹心，浸铜区局限于表面层。以上情况在钨铜材料中的存在对于电火花加工中的电极材料是致命的。
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钨铜合金的钨、铜元素为主组成的一种两相结构假合金，是金属基复合材料。由于金属铜和钨物性差异较大，因此不能采用熔铸法进行生产，现在一般采用粉末合金技术进行获得。采用粉末冶金方法制取钨铜合金的工艺流程为配料混合--压制成型--烧结溶渗-一冷加工。产品形状上的注意事项：钨铜产品铣床加工、车床加工、磨床加工后的产品外观不相同，属正常想象。
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