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MOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，场效应晶体管，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
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MOS管（MOSFET/场效应管）的主要参数：
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1~3pF，CDS约在0.1~1pF之间
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝(dB)。这个数值越小，25N120场效应晶体管，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
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ASEMI低压MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管
型号：A09T / 3400
封装：SOT-23
漏极电流（VDS）：5.8A
漏源电压（ID）：30V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：贴片
种类：场效应晶体管（MOSFET/MOS管）
品牌：ASEMI
在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，9N90场效应晶体管，载流子流出source，24N50场效应晶体管，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须认定一个是drain另一个是source。
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