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ASEMI原装 20N10 插件MOSFET（场效应管）
型号：20N10
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：20A
漏源电压（ID）：100V
工作温度：-55℃~150℃
封装形式：插件
种类：场效应晶体管/MOSFET/MOS管
品牌：ASEMI
首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，品质厂家，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，10N60品质厂家，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
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ASEMI品牌 24N50 MOS场效应管 插件封装类型MOSFET
型号：24N50
封装：TO-247/3P
漏极电流（VDS）：24A
漏源电压（ID）：500V
工作温度：-55℃~150℃
种类：场效应晶体管
品牌：ASEMI
场效应管(FET)，90N10_品质厂家，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导，6N65品质厂家， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
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ASEMI品牌 10N60 MOS场效应管 10A 600V 插件封装类型
型号：10N60
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：10A
漏源电压（ID）：600V
工作温度：-55℃~150℃
种类：N沟道增强型场效应管
品牌：ASEMI
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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