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ASEMI低压降肖特基二极管10V45，电性参数为10A 45V，是手机充电器品牌，ASEMI半导体采用的第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，靠性高，目前ASEMI半导体拥有***的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。
ASEMI低压降肖特基二极管作为未来高频整流器件采纳的典型代表，越来越多的被电源工程师门认可。那么问题了，为什么越来越多的客户愿意选择ASEMI品牌低压降二极管呢？其实台湾ASEMI品牌作为低压降肖特基二极管行业旗帜。
ASEMI肖特基二极管MBR20100DC
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ASEMI肖特基二极管MBR20100DC广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，慈溪肖特基二极管，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
ASEMI肖特基二极管MBR20100DC，它的封装：TO-263 ，肖特基二极管的应用，电性参数：20A，100V，芯片材质选用了SI，正向电流(Io)：10A。芯片个数：2，正向电压(VF)：0.85V漏电流(Ir)：10UA，肖特基二极管常见型号，工作温度：-40~170，***时间(Trr)：<5nS。
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ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，贴片肖特基二极管，为了更直观方便的说明，我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说：
下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压
***erage Rectified Forward Current ——平均整流正向电流
Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)
Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流
Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流
Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）
Operating Junction Temperature—— 工作温度
Storage Temperature ——储存温度
肖特基二极管的应用-强元芯电子(在线咨询)-慈溪肖特基二极管由强元芯电子（广东）有限公司提供。强元芯电子（广东）有限公司是从事“整流桥,桥堆,肖特基二极管,超快***二极管”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：李绚。同时本公司还是从事三相整流桥，深圳三相整流桥，深圳三相整流桥整流模块的厂家，欢迎来电咨询。
