片式陶瓷电容器的生产过程-成都片式陶瓷电容器-华瓷科技

    片式陶瓷电容器

但说白了较弱温度特性的缺陷就是指，浙江贴片电容器限制于物质原材料中采用的钛酸钡（BaTiO3）高介电常数型（class2）的双层陶瓷电容器。应用二氧化钛（TiO2）class1的双层陶瓷电容器在-55～ 125℃的范畴中，容积的温度指数超大型转变仅有±60ppm/℃。

可是二氧化钛的相对性介电常数较小，浙江贴片电容器不可以做大空间。 存有直流电压特性（DC参考点特性）。说白了直流电压特性就是指，假如在双层陶瓷电容器上增加直流电源，片式陶瓷电容器的生产过程，浙江贴片电容器会造成合理静电感应容积降低的状况。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

NPO对应的陶瓷 温度特性 （TC.特性）为：

-55℃---+125℃ 摄氏度间，温度每变化一度， 变化的频率只有 0+-30ppm/℃

也就相当于没有变化，成都片式陶瓷电容器，是主要用在电路RF部分的电容器。

其他常用材质有X5R，X7R，Y5V。

上面介绍的主要是MLCC。Multi-layer ceramic capacitors  翻译过来就是片式多层陶瓷电容器。

主要是因为其制作工艺为陶瓷叠层实现电荷的储存。

原料就是瓷粉，研磨后成浆料，流延成博的膜片，在上面印刷镍电极。叠层，结构就出来了，片式陶瓷电容器生产工艺，后面的工序都是瓷体成行和端头处理的工序。一般现在的工艺是 铜镍锡 三层。

配料—流延—印刷—叠层—层压—切割—排胶—烧结—烧结—倒角—封端—烧端—端处—测试— 编带—包装

作者：孙飞

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来源：知乎

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