至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机
至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机是研究超导、类金刚石、光学、磁性等高质量薄膜和材料表面改性的光机一体化的现代化镀膜设备。该机采用四靶、双离子源、离子源为考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正离子束或中性粒子轰击靶材料，使材料表面的原子和分子从母材中溅射出来，沉积在基片上成膜。可镀制任意材料，包括金属、合金、超导体、半导体、绝缘体等。该机采用80年代刚刚发展起来的离子束溅射技术，利用双离子源、主，对靶材轰击，辅在镀前对基片进行清洗，增强基片的活性，提高结合力及纯度。沉积过程中低能轰击膜，增强沉积原子表面扩散和迁移，减少薄膜结晶结的缺陷，并配有对基片处理的各种功能，如加热、冷却、旋转、激光处理、掩膜等。引出栅φ25mm离子能量，1500ev能量束流大于80mA。
卷绕真空镀膜机结构设计应该注意的几个问题
真空镀膜机使用的行业不一样，它的机型是不一样的，那么它的结构设计也是有很大的差别。在设计真空镀膜机的时，我们都是要考虑到很多因素，比如：要镀的物件大小，使用的材质，以及它的热点，和其他的一些细节注意事项等，都会影响真空镀膜机的结构设计，那么卷绕真空镀膜机结构设计应该注意那几个问题呢？下面至成真空小编，为大家详细介绍一下：
1、提高卷绕速度的问题。卷绕速度即是带状基材运动的线速度，它是卷绕机构的一个主要技术指栎。国内早期镀膜机卷绕速度只有10m/min，现在也只有80m/min～120m/min，在国外日本的EW系列产品中，其卷绕速度已达到300m/min，德国L．H公司生产的镀膜机已达到600m/min，可见随着镀膜技术的发展，卷绕速度有待提高。
2、带状基材的线速恒定问题。这一问题也很重要，因为只有卷绕机构保证带状基材的线速恒定，才能使基材上镀层厚度均匀。这一点对制备带状基材的功能性膜（如电容器膜）尤为重要。
3、带状基材的跑偏和起褶问题。随着卷绕速度的提高，带状基材在卷绕镀膜过程中，起褶和发生偏斜，严重时会造成基材的断裂，使生产中断，既影响生产效率，又浪费材料。因此，在卷绕机构的设计中应充分考虑这一问题。
卷绕镀膜机真空抽气系统分上室下室两组，下室为蒸镀室，要求真空度高，主泵多为油扩散泵。上室为基材卷绕室，要求真空度较低，为罗茨泵机组或扩散泵一罗茨泵一机械泵组。一般蒸镀室要达到的真空度为1x10^-3Pa—2×10^-3Pa，而工作压力为1×10^-2Pa—2×10^-2Pa，而卷绕室真空度通常较蒸镀室低一个数量级。有时卷绕镀膜机以增扩泵（油扩散泵的一种）为主泵，它的极限压力虽然不及油扩散泵，但其抽速范围向高压方向延伸一个数量级，非常适宜此类蒸发的镀膜过程。
新型磁控溅射真空镀膜机镀膜工艺
磁控溅射真空镀膜机镀膜工艺在镀膜行业无处不在，只要说到镀膜技术，大家都会立刻想到磁控镀膜工艺，磁控溅射真空镀膜机也受到了各大厂家的追捧，磁控溅射镀膜工艺更是受到大家的喜爱，今天至成小编为大家介绍一下磁控溅射镀膜机镀膜工艺。
其实从一般的金属靶材溅射、反应溅射、偏压溅射等,伴随着工业需求及新型磁控溅射技术的出现,低压溅射、高速沉积、自支撑溅射沉积、多重表面工程以及脉冲溅射等新型工艺成为目前该领域的发展趋势。低压溅射的关键问题是在低压(一般是指<011Pa)下,电子与气体原子的碰撞几率降低,在常规磁控溅射技术中不足以维持靶材表面的辉光放电,导致溅射沉积无法继续进行。通过优化磁场设计,使得电子空间运动距离延长,非平衡磁控溅射技术可以实现在10-2Pa等级的真空下进行溅射沉积。另外,通过外加电磁场约束电子运动可以实现更低压强下的溅射沉积。进行高速沉积可以极大的提高工作效率、减少工作气体消耗以及获得新型膜层。实现高速沉积主要需要解决的问题是在提高靶材电流密度的同时,不会产生弧光放电;由于功率密度的提高,靶材、衬底的冷却能力需要相应提高等。目前,已经实现了靶材功率密度超过100W/cm2,沉积速率超过1μm/min。
