带隙基准电压源包括双极型和 CMOS 带隙基准源 ，掩埋齐纳二极管基准电压源和 XFET 基准电压源都具有精度高、稳定性好的特点，但是二者的制造过程不能与标准 CMOS 工艺兼容，并且掩埋齐纳二极管基准源的电源电压高、工作电流大、功耗大。如果您还想了解更多的关于高温基准电压方面的知识，欢迎与陕西妙奇微电子科技有限公司联系，一次联系，终身服务。
针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电生电路，设计了一种、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5μm高压BiCMOS工艺对电路进行了，结果表明，在-40%℃～85℃范围内，225度高温基准电压，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。陕西妙奇微电子科技有限公司代理高温基准电压，230度高温基准电压，可以从性能参数，成本等各方面为您的设计保驾护航，欢迎电咨询。
电压基准芯片的输出电压会随着使用时间增加而变化，高温基准电压，通常是朝一个方向按指数特性变化，使用时间越长，变化越小，因此以公式1为单位表示电压基准芯片的长期稳定性，以反映输出电压变化量随使用时间指数衰减。长期稳定性是在几个月甚至几年的使用过程中体现出来的，175度高温基准电压，很难通过出厂时的测试来保证。有些芯片会在出厂前经过一段时间的老化测试以保证较好的长期稳定性。定期对系统进行校准，可以避免长期稳定性带来的误差。对于无法定期校准的系统，就要选用具有良好的长期稳定性的电压基准芯片。采用金属壳封装的芯片，由于排除了封装应力的影响，因而一般具有更好的长期稳定性。
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