华瓷MLCC技术社区-多层片式陶瓷电容器

耦合

用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。

滤波

用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，超微多层片式陶瓷电容器介质材料，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

多层陶瓷电容器制造工艺：以电子陶瓷材料为介质，预制陶瓷浆液用所需厚度的陶瓷介质膜打印，然后在介质膜上打印内电极，交替堆放内电极陶瓷介质膜，形成多个电容器并联，多层片式陶瓷电容器费用，用高温烧结成不可分割的整体芯片，然后在芯片末端涂上外电极，与内电极形成良好的电气连接，形成多层陶瓷电容器的两极。

陶瓷电容器的生产与陶瓷粉体密不可分，下面将对瓷粉与金属电极共烧技术进行简单的介绍。

在生产中，我们首先需要解决陶瓷粉料和金属电极共烧问题，也就是不同收缩率的内电极金属和陶瓷介质在高温下不分层、开裂的问题。要不断地研究开发烧结设备，二是要求多层陶瓷电容器瓷粉供应商在制粉过程中，要与多层陶瓷电容器瓷粉厂家紧密合作，多层片式陶瓷电容器，通过调整陶瓷粉体的烧结性曲线，使其更易于与金属电极烧结。

多层陶瓷电容器作为被动元件的重要组成部分，在消费类电子、汽车电子等领域有着广泛的应用。陶瓷粉所涉及的配方粉制备、介质薄膜化及陶瓷粉末与金属电极共烧工艺对多层陶瓷电容器的工艺性能有较大的影响。

失效模式分析

（1）在电场作用下，多层片式陶瓷电容器的应用，陶瓷电容器的击穿 ***遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点***的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结。在电场作用下，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。

（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低。