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    Ⅰ类瓷器

什么叫Ⅰ类瓷器，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramiccapacitor），贴片式陶瓷电容器，以往称高频率陶瓷电容器（High-frequencyceramiccapacitor），物质选用非铁电（顺电），片式陶瓷电容器生产工艺，浙江陶瓷电容器以TiO2为主要成分（介电常数低于150），因而具备平稳的特性；或是根据增加小量别的（铁电体）重庆陶瓷电容器金属氧化物，如CaTiO3或SrTiO3，组成“拓展型”温度补偿瓷器，则可主要表现出类似线形的温度指数，片式陶瓷电容器生产厂家，介电常数提升至500。这二种介电损耗小，浙江陶瓷电容器接地电阻高，温度特点好。尤其适用震荡器，串联谐振控制回路，高频电路中的滤波电容，及其相关规定耗损小和容量平稳的电源电路，或用以温度补偿。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

重庆贴片陶瓷电容器的制造原理

将重庆高介电常数的陶瓷电容 器钛 酸钡一氧化钛揉捏成圆管、圆片或圆盘作为介质，用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极。分为高频瓷介和低频瓷介两种。正电容温度系数小的电容器用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和垫片电容器。在低工作频率电路中，低频瓷介电容器局限于旁路或隔离DC，或者对稳定性和损耗要求不高的场合，包括高频。

又分为高频瓷介和低频瓷介。具有小的正电容温度系数陶瓷电容器，用于高稳定振荡电路，片式陶瓷电容器，用作电路电容器和贴片电容器。本发明所述低频瓷介电容器于工作频率低的电路作为旁路或DC隔离，或者对稳定性和损耗要求低的情况(包括高频)。这类电容器不适用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压击穿。陶瓷电容器根据包装不同可分为插件和贴片式！根据介质的不同，可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容。

C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tanδ(DF)。传统的电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型碱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的(31～50)%。该类产品在载有T/R模块电路的G***、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。

X7R(X5R)类MLCC的容量主要集中在1000pF以上，该类电容器低功耗主要涉及的性能指标是等效串联电阻(ESR)。