四川华瓷技术社区-多层片式陶瓷电容器

有一个共同的经验法则，陶瓷电容器的电压应降低至少25%，作为标准，但在其将暴露于电压纹波效应的环境中，这应增加到至少50%。部件的额定电压应至少为正常运行时可施加在部件上的电压的两倍。

更的计算可以通过观察击穿电压和额定电压之间的关系来实现。通常，制造商通过根据经验和判断对击穿电压加上裕度来计算额定电压。击穿电压由陶瓷电容器结构中所用材料的特性和材料中存在的缺陷决定。制造过程的质量越高，击穿电压也就越高——受所用材料的限制。有趣的是，电容值越高，任何制造缺陷对击穿电压的影响就越小。

陶瓷基绝缘材料的性能主导了计算；研究表明，金属元素对结果影响不大。击穿电压通常由电介质内部的极化过程决定，而不是由任何穿决定。制造商通过确定元件工作特性内的区域来确定击穿电压。电压相关的质量保持在设备要求的范围内，多层片式陶瓷电容器原理，其预测可靠性在规定范围内。然后，设计师应用的任何降额都是制造商降额系数的附加值，用于根据击穿电压计算额定电压。

要记住的一件事是，乍一看，过度降低组件的额定值似乎是的策略，但这将导致选择物理上更大或更昂贵的组件。所需的额外电路板空间可能不可行，或可能对电路板的布局和布线造成其他挑战。在可能存在机械振动的环境中，较大的部件也会增加部件内部的风险。与所有的设计决策一样，一些后果需要仔细考虑。

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视频作者：四川华瓷科技有限公司

重庆贴片陶瓷电容器的制造原理

将重庆高介电常数的陶瓷电容 器钛 酸钡一氧化钛揉捏成圆管、圆片或圆盘作为介质，用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极。分为高频瓷介和低频瓷介两种。正电容温度系数小的电容器用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和垫片电容器。在低工作频率电路中，低频瓷介电容器局限于旁路或隔离DC，或者对稳定性和损耗要求不高的场合，包括高频。

又分为高频瓷介和低频瓷介。具有小的正电容温度系数陶瓷电容器，多层片式陶瓷电容器报价免费咨询，用于高稳定振荡电路，用作电路电容器和贴片电容器。本发明所述低频瓷介电容器于工作频率低的电路作为旁路或DC隔离，或者对稳定性和损耗要求低的情况(包括高频)。这类电容器不适用于脉冲电路，多层片式陶瓷电容器制备流程，因为它们很容易被脉冲电压击穿。陶瓷电容器根据包装不同可分为插件和贴片式！根据介质的不同，多层片式陶瓷电容器，可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容。

一、重庆陶瓷电容器简介

电容器是电子被动元器件当中为重要的组成部分，其中重庆陶瓷电容又占到电容市场的产值的 50%以上，重庆陶瓷电容按照结构可以分为MLCC（片式多层陶瓷电容器）、单层陶瓷电容器和引线式多层陶瓷电容器。而MILCC的主要优势在于片式多层陶瓷电容器耐高温高压、体积小、寿命长、电容量范围宽、可靠性较高等，因此是整个重庆陶瓷电容市场的主流。目前MLCC下游需求包括消费电子、汽车、5G通讯和其他工业等领域，当前5G网络和新能源汽车制造业是MLCC行业的主要需求驱动力。