现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，封装用IGBT测试仪，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，带动MOSFET及IGBT的发展，封装用IGBT测试仪厂家，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。..等领域，封装用IGBT测试仪批发，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。
4验收和测试3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，封装用IGBT测试仪现货供应，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。4)测试单元发货到买方前，卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。2 机台可测IGBT项目 及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压 VCES集射极截止电压 ICES集射极截止电流 VCE(sat)饱和导通压降 Iges栅极漏电流 VF二极管导通电压 可以测5000V,1600A以下的IGBT模块 * 3。
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A ***负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic， 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc， Ic， 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（***动态测试）。
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