




光刻胶分类情况是怎样
1、光聚合型。2、光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,负性光刻胶哪里有,可以制成正性胶。
3、光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,负性光刻胶多少钱,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
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光刻胶:半导体技术壁垒的材料之一
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材,负性光刻胶供应商,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。
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光刻胶的主要技术参数
1.灵敏度(Sensitivity)
灵敏度是衡量光刻胶***速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的***剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:
(1) ***系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、***、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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