市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，NR9 3000P光刻胶，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后，发生光分解反应，可以制成正性胶；③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
按照***波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同***波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。
光刻胶国内的研发起步较晚
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。
在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，NR9 3000P光刻胶厂家，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着***加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高***系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在***光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
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