




第二代3nm工艺初步生产,已有客户订购产能
今日(6月30日),三星通过其公众号“三星半导体和显示”宣布,线上下单ADI(亚德诺)隔离器芯片供应链,基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产,首先将应用于、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。
与三星5nm工艺相比,三星代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;三星表示,未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。
至于3纳米客户方面,有媒体报道称,消息人士透露,三星称已经有客户订购产能,包括虚拟***挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi),以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等,不过高通将视情况进行投片。
从时间节点来看,三星3纳米技术量产时间确实台积电。
新制裁再升级!遭美企封禁
中证网报道,BOM表报价ADI(亚德诺)隔离器芯片供应链,市场12日传出,内部收到来自Figma的邮件,直指因在美国公布的制裁名单中,Figma无法再提供访问权限。邮件指出,Figma已***帐户,将无法再利用Figma软体打开公司文件,但Figma会在两周内利用电子邮件或其他方式提供该公司文件。员工也在12日晚间证实公司帐号被封的消息。
报道指出,美国之所以制裁,正是因为在领域可说。截至目前,ADI(亚德诺)隔离器芯片供应链,海外销售占比超过80%,在消费型市场的市占率高达70%以上。据独角兽企业500强发展报告(2021)显示,以237.14亿美元估值排名独角兽第28位。
Figma突如其来封停所有被美国制裁名单的公司帐号一事,也让其他互联网企业和设计师同遭冲击,对其设计资产的安全性造成影响。报道指出,大陆一些软体设计企业也立刻发声,愿提供技术支援。软体设计公司蓝湖12日表示,蓝湖协作平台旗下MasterGo已正式上线了Figma档导入功能,并且完善支持导入后的编辑功能,以协助各方度过本次事件。

GaN功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元
电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子(Heraeus Electronics ),已加入美国电力研究所(PowerAmerica Institute),以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。
Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场,降低与新一代技术相关的成本和风险因素。
11月,加拿大公司GaN Systems宣布与德国汽车大厂BMW已就确保氮化(GaN)晶体管产能达成协议,其产量预期能确保该车厂的供应链稳定。
该公司执行官Jim Witham在接受访问时表示,GaN Systems将会为多种应用提供一系列产能。
后,GaN技术本身也在不断取得突破。8月,原厂***ADI(亚德诺)隔离器芯片供应链,Novel Crystal Technology, Inc宣布已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。
在异常耀眼的手机快充之外,GaN也开始渗透进电动车、无线充电、5G基础设施等领域,而SiC等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以,与其他第三代材料构成竞争或互补的关系,将是GaN未来几年的发展走向。
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