金属蚀刻表层的光滑度对蚀刻工艺的危害较为大，表层不光滑时，不需蚀刻工艺的一部分刷涂的耐腐蚀胶难以消除整洁，必须蚀刻工艺的位置因为表层不光滑，蚀刻工艺出去的刻线也不光滑高低不平，牌蚀刻价格，因此在蚀刻工艺以前，金属表层 要开展打磨抛光，能够依据状况及对商品的规定制订出打磨抛光的计划方案及采用方式，实际可参照第二章打磨抛光一部分。
在印刷金属网格透明导电膜性能研究取得进展
透明导电膜在高透光下同时具有导电性，是光电领域中不可或缺的重要工业基础材料。随着光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、低成本方向发展，对高性的柔性及可拉伸透明导电膜的需求增长迅速。当前广泛使用的透明导电材料主要为ITO膜或玻璃，但因方阻较高、脆性结构限制了其在柔性光电器件上的使用；而新发展的基于导电聚合物、碳材料和金属纳米材料的柔性透明导电膜，普遍存在导电性和透过率相互制约的问题，在85%以上的透过率下方阻通常在数十欧每方块以上。基于铜箔黄光制程蚀刻的金属网格透明导电膜具有高导高透的优点受到了行业广泛关注，但工艺复杂，酸蚀刻工艺与铜离子造成的污染及其高成本也不容忽视。
中国学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员崔铮的印刷电子研究团队自主研发了印刷增材制造的嵌入式银网格透明导电膜，透过率和导电性可以***调节，在85%以上透过率下方阻低于10Ω/□，山西牌蚀刻，已成功应用在触摸屏上并实现了产业化，曾荣获2014年中国金奖。为进一步推广印刷金属网格透明导电膜在透明导磁屏蔽、电加热膜、透明5G天线等更广领域的应用，如何进一步在高透过率下大幅度提升导电膜的导电性能成为团队的重要研究目标。近日，苏州纳米所印刷电子中心苏文明团队基于混合式印刷增材制造技术，优化压印模具结构参数，实现了2：1深宽比和4μm线宽的凹槽结构，再结合刮填薄层纳米银油墨的种子层，用电筹沉铜技术在凹槽中填满致密的铜。由于电沉积过程金属铜完全限制在凹槽中只能单向生长，避免了扩线，从而获得高深宽比的铜网格，因而在不影响光透过率的情况下增加了金属网格的厚度，同时电镀的网格具有铜本征的高电导，在86%的高透光率下，方块电阻低至0.03Ω/□，FOM值超过80000，达际领水平（FOM是透明导电膜的综合质量因素，指光透过与方阻的比值，如ITO的FOM<300）。
金属在蚀刻液中蚀刻的过程，首先是金属零件表面发生晶粒溶解的作用；其次在晶界上也发生溶解作用，一般来讲晶界与晶粒是以不同溶解速度发生溶解作用的。在多数金属和合金的多晶体结构中，各个晶体几乎都能采取原子晶格的任何取向。而晶粒的不同取向、晶粒密度的大小及杂质都会和周围的母体金属形成微观原电池。
对金属的蚀刻液来讲，牌蚀刻加工，一方面这些原电池的存在，使金属表面存在着电位差，电位正的地方得到暂时的保护，电位负的地方被优先蚀刻。另一方面在零件表面具有变化着的原子间距，牌蚀刻多少钱，而且原子间距较宽的地方溶解迅速，一直到显示出不平整的表面为止。然后溶解作用以几乎恒定的速度切削紧密堆积的原子层，表面的几何形状也随着晶粒的溶解而不断变化。晶界上的蚀刻也将进一步影响零件表面。
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