两酸抛光厂家-两酸抛光-昆山韩铝化学1(查看)

1.化学抛光设备简单，可根据每批所处理的产品数量而设计建成，造价低。

2.化学抛光不需要直流电源和电挂具。

3.特别适合抛光大型的各种材料建材或形状复杂的大型零部件。

&nbs自己设计木材切割机p; 4.可以同时抛光很多工件，效率很高。主要用于工件的装饰性加工。

5.溶液寿命短，消耗大，再生困难。

6.抛光过程中会产生酸雾或***气体，不利于工人健康及环境保护。

&nb木材切割机械sp;  7.抛光后，工件表面的粗糙度较其他方法得出的大。

CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，两酸抛光厂家，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。

随着环保意识及***的加强，目前越来越多的工厂选择两酸抛光工艺。但是两酸在3C产品生产过程中存在以下问题：1.当抛光液中铝离子浓度超过16g/L时，两酸抛光，抛光带有通孔或盲孔的喷砂工件时会产生抛痕，尤其当喷砂工件为Al5252材质的铝合金时抛痕更为明显。2.对经T处理的铝塑复合件抛光时铝塑交界处易出现不均匀，塑料件易发黄。3.铝合金工件在自动抛光线上抛光时在工件转移过程中所需时间通常在18秒以上，铝型材化抛生产线转移所花的时间更长通常在30秒以上，在转移过程中由于抛光液的滴趟会在表面形成不规则的流痕，影响外观效果。