关于碳化硅的几个事件
1905年 次在陨石中发现碳化硅。
1907年 只碳化硅晶体发光二极管诞生。
1955年 理论和技术上重大突破，高碳硅球图片，LELY提出生长碳化概念，从此将碳化硅作为重要的电子材料。
1958年 在波士顿召开次世界碳化硅会议进行学术交流。
1978年 六、七十年代碳化硅主要由前苏联进行研究。到1978年采用“LELY改进技术”的晶粒提纯生长方法。
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生产线，供应商开始提供商品化的碳化硅基。
为了增加大家对碳化硅的了解，我公司将针对碳化硅的生产工艺进行一次简单的介绍。 其实， 碳化硅是人工合成的材料，高碳硅球公司，其化学计量成分以克分子计：Si 50%、C 50%以质量计：Si 70.04%、C 29.96%，高碳硅球规格齐全，相对分子质量为40.09。 碳化硅有两种晶形：β-碳化硅类似闪锌矿结构的等轴晶系；α-碳化硅则为晶体排列致密的六方晶系。β-碳化硅约在2100℃转变为α-碳化硅。
它与微波辐射有很强的偶合作用，并其所有之高升华点，使其可实际应用于加热金属。纯碳化硅为无色，铜川高碳硅球，而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。
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