GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。
射频器件直流l-V测试数字源表直流特性测试
与硅基晶体管一样,GaN HEMT器件也需要进行直流l-V测试,以表征器件的直流输出能力以及工作条件。其测试参数包括:Vos、IDs、BVGD、BVDs、gfs等,其中输出电流lps以及跨导gm是***为核心的两个参数。
图6:GaN HEMTGaN HEMT器件规格参数
图7:GaN HEMT器件输出特性曲线
频率特性测试
射频器件的频率参数测试包含小信号S参数、互调(IMD)、噪声系数和杂散等特性的测量。其中,S参数测试描述了RF器件在不同频率下和对于信号的不同功率水平的基本特性,量化了RF能量是如何通过系统传播。
S参数也就是散射参数。S参数是一种描述元器件在表现为射频特性的高频信号激励下的电气行为的工具,它描述的方法是以元器件对入射信号作出反应(即“散射”)后,从元器件外部“散射”出的可测量的物理量来实现的,测量到的物理量的大小反应出不同特性的元器件会对相同的输入信号“散射”的程度不一样。
使用小信号S参数,我们可以确定基本RF特性,包括电压驻波比(VSWR)、回报损耗、插入损耗或给定频率的增益。小信号S参数通常均利用连续波(CW)激励信号并应用窄带响应检测来测量。但是,许多RF器件被设计为使用脉冲信号工作,这些信号具有宽频域响应。这使得利用标准窄带检测方法***表征RF器件具有挑战性。因此,对于脉冲模式下的器件表征,通常使用所谓的脉冲S参数。这些散射参数是通过特殊的脉冲响应测量技术获得的。目前,已有企业采取脉冲法测试S参数,测试规格范围为:100us脉宽,10~20%占空比。
由于GaN器件材料以及生产工艺限制,器件不可避免存在缺陷,导致出现电流崩塌、栅极延迟等现象。在射频工作状态下,器件输出电流减小、膝电压增加，***终使得输出功率减小,性能恶化。此时,需采用脉冲测试的方式,以获取器件在脉冲工作模式下的真实运行状态。科研层面,也在验证脉宽对电流输出能力的影响,脉宽测试范围覆盖0.5us~5ms级别,10%占空比。
功率特性测试(Load-pull测试)
GaN HEMT器件具有适应高频率、高功率工况的优异特性,因此,小信号S参数测试已难以满足大功率器件的测试需求。负载牵引测试(Load-Pull测试)对于功率器件在非线性工作状态下的性能评估至关重要,能够为射频功率放大器的匹配设计提供帮助。在射频电路设计中,需要将射频器件的输入输出端都匹配到共轮匹配状态。当器件处于小信号工作状态下时,器件的增益是线性的,但是当增大器件的输入功率使得其工作在大信号非线性状态时,由于器件会发生功率牵引,会导致器件的***佳阻抗点发生偏移。因此为了获得射频器件在非线性工作状态下的***佳阻抗点以及对应的输出功率、效率等功率参数,需在对器件进行大信号负载牵引测试,使器件在固定的输入功率下改变器件输出端所匹配的负载的阻抗值,找到***佳阻抗点。其中,功率增益(Gain)、输出功率密度(Pout)、功率附加效率(PAE)是GaN射频器件功率特性的重要考量参数。
基于普赛斯射频器件直流l-V测试数字源表的直流l-V特性测试系统
整套测试系统基于普赛斯S/CS系列源表,配合探针台以及专用测试软件,可用于GaN HEMT、GaAs射频器件直流参数测试,包括阈值电压、电流、输出特性曲线等。
S/CS系列直流源表
S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的***国产化源表,集电压、电流的输入输出及测量等多种功能,***大电压300V,***大电流1A,支持四象限工作,支持线性、对数、自定义等多种扫描模式。可用于生产、研发中的GaN、GaAs射频材料以及芯片的直流l-V特性测试。
CS系列插卡式源表(主机+子卡)是针对多通道测试场景推出的模块化测试产品。普赛斯插卡式源表单台设备***高可选配10张子卡,具有电压、电流的输入输出及测量等多种功能,***大电压300V,***大电流1A,支持四象限工作,具有通道密度高、同步触发功能强、多设备组合效率高等特点。
对于射频器件的直流特性测试,其栅极电压一般在±10V以内,源、漏端电压在60V以内。此外,由于器件为三端口类型,因此,至少需2台S源表,或者2通道CS子卡。
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