NR9 3000P光刻胶-赛米莱德公司

光刻胶趋势

半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定， 2017年市场约13.5亿美元；约20.2亿元，近5年复合增速达12%。受半导体市场复苏和国内承接产业转移，预计光刻胶市场将保持稳定增速，国内市占率稳步抬升。

光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵，需要一定前期资本投入；光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商认证采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金，光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒，国外光刻胶厂商相对于国内厂商，其公司规模更大，具有资金和技术优势。

总体上，光刻胶行业得到***层面上的政策支持。《***集成电路产业发展推进纲要》，提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备，开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”；******支持的高新技术领域（2015）中提到“高分辨率光刻胶及配套***作为精细***重要组成部分，是***发展的新材料技术”；光刻技术（包括光刻胶）是《中国制造 2025》***领域。

NR9-3000PY 负性光刻胶

负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365 nm）***，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻

和接触式光刻等工具。

显影之后，NR9 3000P光刻胶，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。

NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：

- 优异的分辨率性能

- 快速地显影

- 可以通过调节***能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度

- 耐受温度100℃

- 室温储存保质期长达3 年

Lift-Off工藝

應用領域：LEDs，OLEDs，displays，MEMS，packaging，biochips。

濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）

附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C

Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶

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三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，NR9 3000P光刻胶哪里有，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，NR9 3000P光刻胶价格，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。