微流控芯片硅片模具加工如何选择光刻胶呢?
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一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,浙江负性光刻胶,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,负性光刻胶哪家好,但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。
光刻胶的成分
树脂:光刻树脂是一种惰性的聚合物基质 ,是用来将其他材料聚合在一-起的粘合剂。 光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。
感光剂:感光剂是光刻胶的部分,负性光刻胶哪里有,他对光形式的辐射能,特别在紫外区会发生反应。***时间、光源所发射光线的强,度都根据感光剂的特性选择决定的。
溶剂:光刻胶中容量较大的成分,感光剂和添加剂都是固体物质,为了方便均匀的涂覆,要将他们加入溶剂进行溶解,形成液态物质,并且使之具有良好的流动性,可以通过选择方式涂布在waf er表面。
添加剂:用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂。
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光刻胶的作用有什么?
光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上,为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中,负性光刻胶供应商,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线***后,光刻胶的化学性质发生变化,在通过显影后,被***的光刻胶将被去除,从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中,光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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