如果把这200um的芯片上再纵向来一刀,就可以得到如图9a所示的内部结构了,里面是由不同参杂的P型或N型半导体组合而成的,再详细的老耿就不了。图8b为我们熟知的IGBT等效电路,通常都将IGBT理解为一个MOS控制的PNP晶体管。在刚开始入门电力电子的时候总感觉这个图有点别扭,为什么不把集电极画在上面,液晶屏,发射极画在下面,这样也符合我们逻辑啊!直到了解了IGBT电流是从下至动的,才恍然大悟,这可能也是开始画这个图的人所在吧!
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对于本文所分析的IGBT模块,内部有6个DBC,每个DBC上有4个IGBT芯片和2个Diode芯片,其中2个IGBT芯片和1个Diode芯片作为上管,M190PW01V.8液晶屏,剩下的作为下管,如图7所示。
③ IGBT芯片:
模块内部采用的IGBT芯片型号为:IGCT136T170,手册可以从英飞凌。图8 为IGBT芯片的平面俯视图和基本参数。IGBT的门极和发射极在芯片的上方(正面),集电极在下方(背面),芯片的厚度为200um。IGBT开
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什么是半导体?金属导电性能好,称为导体,AT043TN25V.2液晶屏,塑料,陶瓷,木头导电性能不好,称为绝缘体。半导体是导电性能介于导体和绝缘体中间。而IGBT是一种由控制电路来控制,是否导电的半导体。比如控制电路指示为通,那么IGBT就是导体,电流畅通,如果控制电路指示为断,那么IGBT就是绝缘体,电流断开。
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