④ Diode芯片:
图11为Diode芯片的平面俯视图,AT102TN03V.8液晶屏,正面为阳极,DV185WHM-NM2液晶屏,背面为阴极。二极管的电流方向是从上至下的,正好与IGBT的电流方向相反。Diode芯片额定电流为235A,每个IGBT由6个Diode并联组成,总电流可达1410A,与模块手册中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度与IGBT一样,也为200um。关于Diode芯片更详细的参数可以参考手册[2]。
P320HVN06.0友达32"液晶模组1920×1080 4004000:189/89/89/8916.7MWLEDLVDS
图5为IGBT模块的剖面图,液晶屏,如果去掉黑色外壳以及对外的连接端子,IGBT模块内部主要包含3个部件,EE101IA-01D液晶屏,散热基板、DBC基板和硅芯片(包含IGBT芯片和Diode芯片),其余的主要是焊料层和互连导线,用途是将IGBT芯片、Diode芯片、功率端子、控制端子以及DBC连接起来,下面我们对每个部分作简单介绍:
HV320WHB-N86京东方32"液晶玻璃1366×768 01200:189/89/89/8916.7M无背光Mini LVDS
功率范围:10KW—120KW,该控制板接线少,控制集中,没有调试,工作电源电压为三路交流双18V/1A及四个22V/0.5A的电源。具有过流,过压,却水,多种状态指示,并提供开关型霍尔保护接口和线性霍尔保护接
LED(图)-AT102TN03V.8液晶屏-液晶屏由深圳市金泰彩晶科技有限公司提供。LED(图)-AT102TN03V.8液晶屏-液晶屏是深圳市金泰彩晶科技有限公司今年新升级推出的,以上图片仅供参考,请您拨打本页面或图片上的联系电话,索取联系人:张小姐。