逆变器的理想设计
理想的逆变器，从直流变到交流的功率总是一定的值而没有脉动，直流电源波形和电流波形中也不应该产生脉动;而在实际的
逆变电路中，因为逆变器的脉动数等有限制，因而逆变功率P是脉动的。当逆变器的逆变功率p的脉动波形由直流电流来体现时，称之为电压型逆变器。电压型逆变 器的特点是:
1)直流侧有较大的直流滤波电容。
2)当负级功率因致变化时，交流输出电压的波形不变，即交流输出电压波形与负载无关。交流 输出电压的波形，通过逆变开关的动作被直流电源电容上的电压钳位成方波。
3)在逆变器中，与逆变开关并联有反馈二极管，所以交流电压与负载无关， 是方波。
4)输出电流的相位随负载功率因数的变化而变化，换向是在同桥臂开关管之间进行的。
5)可以通过控制输出电压的幅值和波形来控制 其输出电压。
IC1的5脚外接电容***(472)和6脚外接电阻R7(4k3)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (0.0047×4.3)kHz≈50kHz。即电路中的三极管VT1、VT2、VT3、VT4、变压器T1的工作频率均为50kHz左右，因此T1应选用高频铁氧体磁芯变压器，变压器T1的作用是将12V脉冲升压为220V的脉冲，其初级匝数为20×2，次级匝数为380。
IC2的5脚外接电容C8(104)和6脚外接电阻R14(220k)为脉宽调制器的定时元件，所决定的脉宽调制频率为 fosc=1.1÷ (C8×R14)=1.1÷(0.1×220)kHz≈50Hz。
R29、R30、R27、C11、VDZ2组成XAC插座220V输出端的过压保护电路，当输出电压过高时将导致稳压管VDZ2击穿，使IC2的4脚对地电压上升，芯片IC2内的保护电路动作，切断输出。
车载逆变器电路中的MOS管VT2、VT4有一定的功耗，必须加装散热片，其他器件均不需要安装散热片。当车载逆变器产品持续应用于功率较大的场合时，需在其内部加装12V小风扇以帮助散热。
单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，电子元器件回收网，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目
前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
