用什么方法进行双面电路板的焊接？有哪些事项需要我们注意？
随着高科技的发展，线上下单电子元器件生产厂家，人们需要性能高、体积小、功能多的电子产品，促使印制线路板制造也向轻、薄、短、小发展。双面电路板两面都有电子元器件，相较于单面电路板更为小巧轻便，易于携带。那么，双面电路板人工焊接方法是什么？双面电路板焊接注意事项又有哪些呢？
电子元器件的焊接主要采用锡焊技术，以锡为主的锡合金材料作焊料，在一定温度下焊锡熔化，金属焊件与锡原子之间相互吸引、扩散、结合，形成浸润的结合层。外表看来印刷板铜铂及元器件引线很光滑，实际上它们的表面都有很多微小的凹凸间隙，熔流态的锡焊料借助于毛细管吸力沿焊件表面扩散，形成焊料与焊件的浸润，把元器件与印刷板牢固地粘合在一起，具有良好的导电性能。双面电路板人工焊接方法：对有要求的器件依据图纸或样机，大致了解实物线路及走向状况再插件。
1. 后二极管的型号面应朝上，不应出现两个管脚长短不一致的现象。
2. 对有极性要求的器件插装时要注意其极性不得插反，辊集成块元件，插装后，不论是竖式或平卧的器件，不得有明显倾斜。
3. 用无水酒精将电路板表面的松香、焊油清洁干净。清理时如用烙铁配合加热则速度更快、效果更好。
4. 双面电路板焊接使用的电烙铁其功率为25~40W之间，电烙铁头的温度应控制在242℃左右，温度过高头容易“死掉”，温度过低熔解不了焊锡。
5. 正式焊接按照器件从矮到高，从里向外的焊接顺序来操作，焊接时间要掌握好，时间过长会烫坏器件，也会烫坏覆铜板上的覆铜线条。
6. 因为是双面焊接，为了不压斜下面的器件，还应做一个放置电路板的工艺框架。
7. 电路板焊接完成后应进行对号入座式的检查，查有漏插漏焊的地方，查焊接是否正确、可靠，工艺是否符合要求，确认后对电路板多余的器件管脚之类进行修剪，后流入下道工序。
8. 在具体的操作中，还应严格遵循相关的工艺标准来操作，保证产品的焊接质量。
电子器件损坏特性概述
一、电阻损坏特性
电阻器是数量的电子设备，但并非损坏率高的元件。电阻性损伤以开路为常见，阻值变大是罕见的，阻值变小也很少见。常用的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、***电阻等。
头两种电阻应用，***特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)损坏率较高，中间阻值(如几百欧至几十千欧)损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很容易发现。
线绕电阻通常用于大电流限制，但阻值不大。圆筒形线绕电阻烧坏后有些会发黑或表面爆皮、裂纹，有些无痕。水阻是线绕电阻的一种，烧坏后可能会断裂，否则没有任何可见痕迹。***丝电阻烧坏的时候有些表面会炸掉一块皮，有些也没有任何痕迹，但不会变黑。基于上述特点，在检测电阻时可着重于快速找到损坏电阻。
二、电解电容损坏特点
电容器在电气设备中的用量很大，故障率很高。电解质损坏主要表现为：
一是容量完全损失或容量减少；
二为轻度或严重漏电；
三是容量损失或容量变小兼有漏电。
三、二极管，三极管等半导体器件损坏特性
三极管的损坏一般为 PN结击穿或开路，其中以击穿短路为主。另外，还存在两种损坏表现：
，热稳定性变差，表现为通电时正常，一段时间后发生软击穿；
二是 PN结的性质变差，用万用表 R×1 k测得，所有 PN结都正常，但是上机后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程档测， PN结正向阻值比正常值大。
四、集成电路损害特征
IC内部结构复杂，线上下单电子元器件高精密度引脚，有很多功能，其中任何一部分损坏不能正常工作。IC有两种损坏：完全损坏，热稳定性差。当一个电路完全损坏时，可以拆开它，和一般同型号的集成电路比较，测其每个针对地的正反两个电阻，总能发现一个或几个管脚阻值异常。对于热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却集成电路，如果故障出现延迟或不再发生故障，就可以判定。一般只能更换新集成电路来排除。
珠海芯片产业的历史性机遇
9月5日，《横琴粤澳深度合作区建设总体方案》正式发布，方案中提到，将大力发展集成电路、电子元器件、新材料、新能源、大数据、人工智能、物联网产业。
加快构建特色芯片设计、测试和检测的微电子产业链，建设人工智能协同创新生态。打造互联网协议第六版（IPv6）应用项目、第五代移动通信（5G）应用项目和下一代互联网产业集群。
在《方案》中除了相关补贴以及优惠政策，在建设集成电路、电子元器件等产业时提到，要加快构建特色芯片设计、测试和检测的微电子产业链。那么问题来了，什么才算是特色的芯片设计、测试和检测产业链？目前中国的半导体产业正在快速发展当中，尤其在今年，不论是芯片设计还是封装测试、设备或晶圆代工产业，其相关上市公司的净利润大多都实现了翻倍的增长，甚至有的企业净利润翻了十数倍。
有了利润，企业才能用更多的资金来进行研发投入，天津线上下单电子元器件，形成正向循环。不过如今的半导体企业，大多数仍然集中在中低端产品当中，而这些产品的利润较低。尤其是国内相关企业，对于国产半导体在成本上要求更严，因此造成利润更为微薄。
一方面进行财政补贴，另一方面进行税务减免，能够极大减轻企业的成本，增加产品竞争力。并且在合作区形成产业集群后，将形成合力，加速集成电路产业发展。
横琴粤澳深度合作区的建设，是为澳量身打造的多元发展地，线上下单电子元器件生产，对珠海而言，也将成为一个新的发展机遇，对国内的集成电路产业更将有深远的影响。从人才、企业、政策各方面进行推动，也为大湾区的发展做了一个试点。如果说半导体产业在近几年的高速发展，是时代的窗口期，那么合作区的建设，就是我们自己创造腾飞的平台。
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