在这个逆变器设计中，+20V电源首先用来推动微型处理器，并且管理不同的电路。有关代码的实现，这个逆变器解决方案中采用的8位微型控制器PIC18F1320会为IGBT驱动器产生信号，由此提供用来驱动IGBT的信号。以***高电压IC工艺过程 (G5 HVIC)以及锁存CMOS技术的栅极驱动器集成高电压转换和终端技术，使驱动器能够从微型控制器的低电压输入产生适当的栅极驱动信号。有关的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相容，逻辑电压可低至3.3V。
超高速二极管D1和D2提供路径来把电容器C2及C3充电，并且确保高侧驱动器获得正确的动力。图3描绘出相关的输出波形。如图所示，在正输出半周期内，高侧IGBT Q1经过正弦PWM调制，但低侧Q4就保持开通状况。同样地，在负输出半周期内，高侧Q2经过正弦PWM调制，而低侧Q3则保持开通状况。这种开关技术在输出LC滤波器之后，于电容器***的两端提供60Hz交流正弦波。
针对相关标准的认证测试。
为达到这些测试目的，必须创造出一种可预期、可重复的太阳光照条件，并控制其环境温度，以得到固定的I-V输出曲线。自然界的光照和其他环境因素难于控制，因此直接使用太阳能电池板对逆变器的性能进行测试是不可行的。
为了能够太阳能电池板在特定环境条件下的输出(特别是对于小功率逆变器，精度的要求往往更高)，很多厂家推出了的太阳能方阵模拟器，用于模拟各种环境下太阳能电池板的输出特性，地复现出不同环境条件下的I-V输出特性曲线。I-V曲线的数据多来自于用户对太阳能电池板输出的实际测量结果。为了简化操作，目前国际上通用的曲线设置方式是：通过I-V曲线上的四个特征值，即Voc(开路电压值)、Isc(短路电流值)、Vmp(大功率点电压值)、Imp(大功率点电流值)来拟合得到完整的I-V曲线。
单晶硅与多晶硅的区别
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目
前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
