为了适应各种不同的用途和要求，国内外对PZT陶瓷进行了广泛的掺杂改性研究.PZT压电陶瓷的掺杂改性主要有以下几个方面:
.1 软性掺杂 这种掺杂是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等离子分别置换Pb2+或(Zr，Ti)4+等离子，在晶格中形成一定量的正离子缺位(主要是A位)，由此导致晶粒内畴壁容易移动，结果使矫顽场降低，使陶瓷的极化变得容易，因而相应地提高了压电性能.但空位的存在增加了陶瓷内部的弹性波的衰减，引起机械品质因数Qm和电气品质因数Qe的降低，但其介电损耗增大，因而这类掺杂的PZT压电陶瓷通常称为“软性”PZT压电陶瓷，适于制备高灵敏度
.2 硬性掺杂 这类掺杂与离子软性掺杂的作用相反:离子置换后在晶格中形成一定量的负离子(氧位)缺位，因而导致晶胞收缩，***畴壁运动，降低离子扩散速度，矫顽电场增加，从而使极化变得很困难，压电性能降低，Qm和Qe变大，介电损耗减少.具有这类掺杂物的PZT压电陶瓷称为“硬性”PZT压电陶瓷，的传感器元件.这类掺杂报道较多的是La3+和Nb5+[
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通过研究，降结温度的主要方法有:(1)改善粉体形貌，表面能和烧结活性，有利于烧结过程的进行.研究表明[14]PbO挥发温度为924.71℃，颗粒之间的反应温度为811.26℃;而固相合成的1243.47℃，PbO的挥发温度为1213.29℃.因此采取有效的合成方法，PbO挥发温度以下，铅可完全挥发.(2).，PZT陶瓷粉体时掺加微量的Fe2+，Bi3+，Cu2+等离子，
)O3]，可以实现在空气中850℃BCW[Ba(CuW完成绕结，比不加烧结助剂的粉体的烧结温
度降低250℃左右，比一般固相法制备的PZT粉体的烧结温度1250℃降低400℃左右.(3)热压烧结.清华大学的李龙土及同事在PZT基压电陶瓷原料中加入由xBO1.5-yBiO1.5-zCdO组成的玻璃料可使其烧结温度得到较大程度的降低，其压电性和介电性都得到了改善[17].
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