半导体镀膜(图)-氮化硅真空镀膜加工-北京氮化硅真空镀膜

氮化硅真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

(3) 启动机械泵，抽一分钟左右之后，打开复合真空计，当示数约为10E-1量级时，启动分子泵，频率为400HZ (默认)，同时预热离子清洗打开直流或射流电源及流量显示仪。

(4) (选择操作)打开加热控温电源。启动急停控制，报警至于通位置，功能选则为烘烤。

(5)当真空度达到5X 10-4Pa时，关闭复合真空计，开启电离真空计，通气(流量20L/min)，打开气路阀，将流量计I拨至阀控档，稳定后打开离子源，依次调节加速至200V~250V，中和到12A左右，阳极80V;阴极10V，阳极300V。从监控程序中调出工艺设置文件，启动开始清洗。

(6)清洗完成后，氮化硅真空镀膜加工，按离子源参数调节相反的顺序将各参数归零，关闭离子源，将流量计Ⅱ置于关闭档。

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真空镀膜机设计应该注意什么，能减少捡漏工作

结构设计时，在容器或系统上要留有必要的检漏仪器备用接口，以便在设备组装、调试过程中检漏使用。尤其是大型、复杂的管路系统，通常需要采用分段检漏方法，因此在管路上要设置分段隔离的阀门，并在每一隔离段上预留检漏仪器接口。

零件结构设计时，尽量避免采用可能干扰检漏工作的设计方案。例如在真空室內螺钉孔不能采用盲孔形式，因为安装螺钉后螺孔内部剩余空间的气体只能通过螺纹间隙逸出，形成虚漏。从而延长系统抽气时间，干扰检漏正常进行。如图真空检漏中不应出现的结构。

与此类似，结构设计中不允许存在连续双面焊缝和多层密封圈结构，因为这会在中间形成“寄生积”内的气体会形成虚漏；而当内、外双侧焊缝或密封圈同时泄漏时，“寄生容积”使示漏气体穿越双层焊缝的响应时间过长，无法正常检漏。

焊接结构设计时，尽量减少总装后无法检漏的焊缝。

      真空镀膜机捡漏工作，是需要在设计、制造、调试、使用各个有关环节中随时进行，但是为了减少后期捡漏工作加重，必须要在设计环节，就应该重视捡漏工作，确保真空镀膜机后期环节捡漏环节的减少。

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那么电子束蒸发镀膜机，主要应用在哪些领域呢？电子束蒸发镀膜机，因其高沉积速率和高材料利用效率而被广发应用于例如航空航天领域、汽车行业、激光科学，我们常见的太阳能电池板、建筑玻璃，主要是赋予这些所需的导电、反射和透射的特性。另外，还有一些，行业或产品，对材料的耐高温、耐磨性有很高的要求和标准，这些都需要电子束蒸发镀膜。

另外，北京氮化硅真空镀膜，比较被常被问到的一个问题就是，电子束蒸发镀膜和热蒸发相比，有哪些优势呢？

二者主要的区别，也是本质的区别是工作原理不同。上面我们提到了，电子束热蒸发镀膜的工作原理是使用电子束轰击材料源，产生高能热量，使材料蒸发，而热蒸发，顾名思义是通过加热来完成这一工作流程的。

首先电子束蒸发源尺寸多样，还可以分为单腔或者多腔。因为其加热温度高，可允许高温材料和难熔金属的非常高的沉积速率和蒸发。其次，电子束蒸发镀膜可以控制污染，甚至可以说，由于能够严格限制原材料占据区域，从而可以消除相邻组件间的不必要污染。而且电子束蒸发相比热蒸发，可以沉积更薄、更高纯度的薄膜。

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