MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，半导体光刻制作平台，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，半导体光刻制作代工，以及行业应用技术开发。
如果说以上工艺步骤是任何微机械器件都必须要考虑的工艺的话，那么“掺杂工艺”（Doping）就是半导体工艺中的工艺了。
说掺杂工艺是半导体工艺中的工艺，是因为电路中各半导体器件的电学性能在此步骤形成。在此步骤之前，整片晶圆不过是一片冷冰冰的材料一片，过了此步骤，才有了各种各样的二极管、三极管、CMOS以及电阻等。
掺杂工艺在半导体中如此重要，是因为它可以改变半导体的电导率、载流子类型和浓度、能带结构等电学性质，从而实现不同的功能和性能。半导体的导电性能可控，就是通过掺杂来实现。
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光刻之所以得名，就是因为它通过利用光线，把带有图案的掩模板上的图形转移到晶圆片上。由于半导体技术的主要目标是尽可能的缩小电路尺寸，所以对光刻的精度要求也越来越高。高精度的光刻机是光刻步骤的基础，这就是为什么“光刻”成为备受关注的工艺步骤。
为了支持更高精度的光刻，也有***的光刻机被制造出来。目前***的光刻机技术是极紫外光刻技术（EUV，Extreme Ultra-violet），它使用波长为13.5纳米的极紫外线作为光源进行电路光刻，可以制造出7纳米及以下工艺节点的芯片。A***L是EUV光刻机的***厂商，其新型号的光刻机号称可实现0.3纳米的精度。
光刻技术是半导体芯片工艺中昂贵的工艺，在***工艺中，光刻步骤的成本可以占整个芯片加工成本的三分之一甚至更多。
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在芯片晶圆上，有一些特殊的部分和特定的名称，湖南半导体光刻制作，比如：
Wafer：指整张晶圆Chip、Die：是指一小片带有电路的硅片划片道（Scribe line）：指Die与Die之间无功能的空隙，可以在这些安全的切割晶圆，而不会损坏到电路测试单元：一些用于表征Wafer工艺性能的测试电路单元，规律分布于Wafer各位置边缘Die（Edge Die）：Wafer边缘的一部分电路，半导体光刻制作委托加工，通常这部分因为工艺一致性或切割损坏，会被损失。这部分损失在大的晶圆片中占比会减少切割面（Flat Zone）：被切成一个平面的晶圆的一条边，可以帮助识别晶圆方向
晶圆制备完成后，半导体的画布就形成了。后续半导体工艺由此开始。
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