半导体光刻加工工厂-半导体研究所-天津半导体光刻加工

MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，天津半导体光刻加工，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

经过了光刻步骤之后，所需要的图案已经被印在了晶圆表面的光刻胶上。但要实现半导体器件的制作，还需要把半导体器件按照光刻胶的图形出来。这个的过程就叫刻蚀（Etching）。

半导体刻蚀方法分为两类，分别是湿法刻蚀和干法刻蚀。

湿法刻蚀湿法刻蚀是将晶圆片浸入到含有特定化学剂的液体溶液中，利用化学反应来溶解掉未被光刻胶保护的半导体结构。由于液体***不能很好的控制方向性，所以可能会导致刻蚀不均匀，造成刻蚀的不足或过度；另外，由于液体***会残留在晶圆上，所以需要额外的清洗步骤来去除污染物。

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干法刻蚀干法刻蚀是用等离子体或者离子束等来对晶圆片进行轰击将未被保护的半导体结构进行去除的方法。相比于湿法刻蚀，半导体光刻加工多少钱，干法刻蚀精度高、选择性和方向性好，并且不会产生残留物，适用于制造高集成度的芯片。

然后干法刻蚀也有缺点，例如成本高，设备复杂，处理时间长。

在半导体工艺步骤中，半导体光刻加工外协，会根据不同的目标和需求，灵活选择适合的工艺。甚至在同一个器件制作的不同步骤中，会混合使用湿法刻蚀和干法刻蚀。

通过光刻及刻蚀步骤，就可以将希望的图形，在晶圆片上真正实现。需要说明的是，光刻/蚀刻步骤一次只能实现一层半导体结构，由于半导体器件是多层器件， 通过需要迭代多次才能将半导体器件完整蚀刻出来。并且随着工艺复杂度的不同，需要的层数也不同。例如在0.18微米的CMOS工艺中，需要的光罩层数约为20层，而对于7nm左右的CMOS工艺来说，则需要55-60层

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随着半导体技术的进步，对各薄膜层精度的要求也越来越高，半导体光刻加工工厂，于是，需要对晶圆表面进行平坦化，消除不同材料层之间的起伏和缺陷，提高光刻的精度和质量。

抛光（Polishing）就是用于晶圆表面薄膜层平整化的技术。抛光工艺中，主要的工艺是CMP（化学机械抛光，Chemical Mechanical Polishing），CMP是一种利用化学腐蚀和机械摩擦的结合来实现晶圆表面平坦化的技术，研磨对象主要是浅沟槽隔离(STI)，层间膜和铜互连层等。

以上就是芯片制造中的主要工艺，以上工艺以硅基半导体为主要参考，其他工艺（如GaAs、SiGe等化合物半导体）会略有不同，但基本思路一致。

在具体半导体工艺实现上，通过将以上关键工艺的有机整合，形成一个完整的工艺流程，就可以完成半导体工艺的开发。

  总  结    芯片的制造工艺是一个复杂的过程，关键工艺也并不只有光刻，还包括晶圆加工、氧化、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等多个步骤，每个步骤都对半导体性能和功能有重要影响。

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