MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
以硅基晶圆为例,重庆半导体光刻加工,半导体晶圆的主要制备步骤有[1]:硅提炼及提纯:大多数晶圆是由从沙子中提取的硅制成的。将沙石原料放入电弧熔炉中,还原成冶金级硅,再与反应,生成,经过蒸馏和化学还原工艺,得到高纯度的多晶硅。单晶硅生长:将高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,使多晶硅熔化。然后把一颗籽晶浸入其中,并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转,同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。这样就形成了圆柱状的单晶硅晶棒。晶圆成型:将单晶硅棒经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻等工序,制成一片片薄薄的半导体衬底,即晶圆。
半导体晶圆的尺寸在这一步骤中确定。晶圆的尺寸一般以“英寸”为单位。在半导体行业的早期,由于工艺能力的限制,硅棒直径只有3英寸,半导体光刻加工技术,约合7.62厘米。此后,随着技术进步和生产效率提高,晶圆尺寸不断增大。目前,在半导体制造中使用的直径为12英寸(又称300毫米)。
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近年来,“芯片”成了热词,而代表芯片层基础的“芯片制造工艺”也成了全民关注的焦点,这其中夺目的,莫过于舞台***的“光刻机”。
“光刻机”是芯片制造中的关键设备,并且随着芯片技术演进,晶体管特征尺寸越来越小,需要用到的光刻机就越。因为光刻机技术的差距,以及光刻机故事的不断被渲染, “光刻技术”仿佛成为了半导体技术的重要技术。
其实在芯片制造工艺中,除了光刻工艺外,还有其他多个重要工艺步骤,这些步骤同样不可或缺。这些关键步骤与光刻一起,才能共同实现芯片的“点沙成金”。
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光刻技术是一种将掩模板(Mask)上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆片上的技术。光刻技术可以将半导体表面上特定的区域去除或者保留,从而构建半导体器件。
光刻步骤主要包括:
设计电路并制作掩模板。这一步一般是通用计算机辅助设计(CAD)软件完成的,在完成电路设计正确性检查(LVS)和设计规则检查(DRC)后,设计图形被转移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超纯石英玻璃基片制成,在基片上,需要透光的地方保持透明,需要遮光的地方用金属遮挡。
涂光刻胶:使晶圆对光敏感。执行这一步骤时,会在晶圆表面均匀涂抹一层对光敏感的物质,光刻胶。光刻胶对光敏感,光照射后会产生化学变化,于是根据光照射与否,光刻胶也形成溶解和不可溶解的部分。
***。将光源发出的光线经过掩模板照射到晶圆片上时,掩模板上的图形也就被转移到了晶圆片上。根据掩模板上图形的不同,光刻胶会溶解形成对应图形。
显影与坚膜。用化学显影液溶解掉光刻胶中可溶解的区域,使可见的图形出现在晶圆片上。显影后再进行高温烘培,使剩余的光刻胶变硬并提高粘附力。
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