利用浸渍法制备负载型V2O5/Na2SiO3催化剂，并通过XRD、IR、TG-DSC手段对催化剂进行了结构和热分析表征。在以Na2SiO3为载体的基础上，以V2O5为催化剂，通过改变V2O5的负载量，考查了不同负载量的V2O5催化剂对苯氧化为的催化性能的影响。实验结果表明，当V2O5的负载量为1%时，V2O5的催化性能好，这是由于V2O5高度分散于Na2SiO3载体上，增大了活性组分V2O5的表面积，从而增加了其活性中心个数及活性组分与反应物的接触面积，五氧化二钒催化剂，增加了其催化活性。
分散直接插层法使聚吡咯(PPY)嵌入五氧化二钒(V2O5)凝
本文采用分散直接插层法使聚吡咯 (PPY)嵌入五氧化二钒 (V2 O5)凝胶层间。并通过X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (FI IR)和多点氮气吸附法 (BET/N2 )等测试手段对其进行分析 ，襄阳五氧化二钒，证明了PPY确实进入了五氧化二钒 (V2 O5)干凝胶的层间 ，为不溶性导电高聚物的插层提供了一条新的途径。分别以金属Mo粉为钼源、V2O5为钒源和以MoO3为钼源、NH4VO3为钒源，通过低温水热法合成了不同形貌的钼掺杂V2O5纳米结构。用X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和能谱（EDS）对产物进行表征。结果表明，反应产物均为正交V2O5纳米带，且纳米带的尺寸均匀，宽度100～400 nm，厚度10～40 nm，长度可达到几十微米。研究还发现它们的掺杂量是不同的，分别为3%和2.1%。
铜掺杂五氧化二钒的制备及电化学性质采用沉淀法于300和600℃制备了结晶状的Cu0.04V2O5材料.扫描电镜显示，300℃时制备的样品具有多孔特征，而600℃时制备的样品具有很高的结晶度.X射线研究表明，少量铜掺杂不会改变V2O5的正交晶体结构.红外光谱研究表明，五氧化二钒厂家，300℃时制备的Cu0.04V2O5样品含有少量水.热失重分析确定了样品中所含水分是以吸附水的形式存在，1mol材料分子吸附水的摩尔数约为0.18mol.铜掺杂显著改善了V2O5的结构稳定性，偏钒酸铵五氧化二钒，进而提高了材料的充放电循环性能.于600℃制备的样品在C/5.6倍率下具有160mAh·g-1的可逆比容量，但提高放电倍率明显降低了材料的循环性能.于300℃制备的样品在C/5.6倍率时的循环性能不如600℃样品，但该材料在C/1.9倍率时仍具有100mAh·g-1左右的可逆比容量.两种材料在电化学性能上的差异与材料的微结构有关.低温样品在较高放电倍率时良好的循环性能得益于其多孔的微结构，而高温样品由于其较高的结晶度而表现出优异的低倍率充放电性能.
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