车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
图1电路中的主要器件有驱动管SS8550、KSP44，MOS功率开关管IRFZ48N、IRF740A，快***整流二极管HER306以及PWM 控制芯片TL494CN (或KA7500C)。
SS8550为TO-92形式封装的PNP型三极管。其引脚电极的识别方法是，天津电池片价格，当面向三极管的印字标识面时，引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。
SS8550的主要参数指标为：BVCBO=-40V，BVCEO=-25V，VCE(S)=-0.28V， VBE(ON)=-0.66V ，fT=200MHz，ICM=1.5A，PCM=1W，TJ= 150℃ ，hFE=85～160(B)、120～200(C)、160～300(D)。
与TO-92形式封装的SS8550相对应的表贴器件型号为S8550LT1，其封装形式为SOT-23。
SS8550为目前市场上较为常见、易购的三极管，回收太阳能光伏电池片价格，价格也比较便宜，单只售价仅0.3元左右。
KSP44为TO-92形式封装的NPN型三极管。其引脚电极的识别方法是，当面向三极管的印字标识面时，其引脚1为发射极E、2为基极B、3为集电极C。
KSP44的主要参数指标为：BVCBO=500V ，BVCEO=400V，VCE(S)=0.5V ，VBE(ON)=0.75V ，ICM=300mA ，PCM=0.625W ，TJ=150℃，hFE=40～200。
在这个逆变器设计中，+20V电源首先用来推动微型处理器，并且管理不同的电路。有关代码的实现，回收多晶硅单晶硅电池片价格，这个逆变器解决方案中采用的8位微型控制器PIC18F1320会为IGBT驱动器产生信号，由此提供用来驱动IGBT的信号。以***高电压IC工艺过程 (G5 HVIC)以及锁存CMOS技术的栅极驱动器集成高电压转换和终端技术，使驱动器能够从微型控制器的低电压输入产生适当的栅极驱动信号。有关的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相容，逻辑电压可低至3.3V。
超高速二极管D1和D2提供路径来把电容器C2及C3充电，并且确保高侧驱动器获得正确的动力。图3描绘出相关的输出波形。如图所示，回收测试不良电池片价格，在正输出半周期内，高侧IGBT Q1经过正弦PWM调制，但低侧Q4就保持开通状况。同样地，在负输出半周期内，高侧Q2经过正弦PWM调制，而低侧Q3则保持开通状况。这种开关技术在输出LC滤波器之后，于电容器***的两端提供60Hz交流正弦波。
必须保护光伏或其它任一种分布式发电系统免受孤岛现象的损害，主要原因如下：
（1） 电网无法控制孤岛的电压和频率，从而有可能在电网无法控制的情况下损坏客户端设备。
（2） 公用设施以及分布式光伏能源的所有者需要对连至其电网的客户设备的电气损坏负责。
(3）孤岛可能对电力系统员工或公众造成危害，因为它会使那些通常被认为已与所有励源断开的线路带电。
(4）孤岛重新并网后，可能会由于相移闭合导致线路重新跳闸、或损坏分布式能源产生设备或连接的其它设备。
（5）孤岛可能会干扰公共机构为***正常服务而手动或自动***电网的操作。
除了具有防范孤岛危害的功能外，逆变器还需要满足特定地区提出的各中具体安全条例和规范。
