1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2： 220±30μm ≤TV≤220±40μm。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30μm。
4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度≤1mm，深度≤0.5mm
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5。
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对硅片进行切割的时候，回收单晶硅片电话，我们应该要看看他的在利用效果如何，只有这样才能够保证他的环保性。在进行切割的时候我们要看看他的切割直径是多少，承受的载荷是多少，以及切割的速度，除此之外还要观察他的维护性的简易程度如何控制。
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单晶硅主要用于制作半导体元件。用途：制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
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