CT检测面探测器
面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为CCD和CMOS。CCD对X射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将X射线转换成CCD敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，射线检测，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
CT检测平板探测器
平板探测器通常用表面覆盖数百微米的闪烁晶体（如CsI）的非晶态硅或非晶态硒做成。像素尺寸127 或200μm，平板尺寸大约45cm（18in）。读出速度大约3～7.5帧/s。优点是使用比较简单，没有图像扭曲。图像质量接近于胶片照相，基本上可以作为图像增强器的升级换代产品。主要缺点是表面覆盖的闪烁晶体不能太厚，射线检测报价，对高能X 射线探测效率低；难以解决散射和窜扰问题，射线检测方案，使动态范围减小。在较高能量应用时，必须对电子电路进行射线屏蔽。一般说使用在150kV以下的低能效果较好。
CT检测常用扫描方式介绍
工业CT常用的扫描方式是平移—旋转(TR)方式和只旋转(RO)方式两种。只旋转扫描方式无疑具有更高的射线利用效率，可以得到更快的成像速度；然而，射线检测机构，平移—旋转的扫描方式的伪像水平远低于只旋转扫描方式；可以根据样品大小方便地改变扫描参数（采样数据密度和扫描范围），特别是检测大尺寸样品时其优越性更加明显；源—探测器距离可以较小，提高信号幅度；以及探测器通道少可以降低系统造价便于维护等。
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