玻璃光刻工艺技术-四川玻璃光刻工艺-半导体光刻

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一

接触式***和非接触式***的区别，在于***时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。

正胶***前，光刻胶不溶于显影液，***后，***区溶于显影液，图形与掩膜版图形相同；而负性光刻胶，***前光刻胶可溶于显影液，***后，被***区不溶于显影液，图形与掩膜版图形相同。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，玻璃光刻工艺实验室，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。

掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，四川玻璃光刻工艺，降低了分辨率。1970后适用，但是其较大分辨率仅为2～4μm。

c、投影式***（ProjectionPrinting）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现***。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式***分类：扫描投影***（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；

掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影***（Stepping-repeatingProjectPrinting或称作Stepper）。

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光刻掩膜版清洗一般使用掩膜版清洗液，是有专门的额清洗机器的。首先将掩膜版放入掩膜版清洗机一边冲洗一边旋转，将污染颗粒冲洗干净，之后在高速旋转烘干。目前而言，掩膜版清洗机可以清洗的掩膜版尺寸包括3寸，4寸，5寸，玻璃光刻工艺技术，6寸的掩膜版。

光刻是一门比较综合的技术，它采用照相复印的技术，将光刻掩膜版上的图形在涂有光刻胶的金属蒸发层上。如果掩膜版受光刻胶污染，很大程度上会影响***，带来影响，因此光刻过程中需要保持掩膜版的干净。

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