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以硅基晶圆为例，半导体晶圆的主要制备步骤有[1]：硅提炼及提纯：大多数晶圆是由从沙子中提取的硅制成的。将沙石原料放入电弧熔炉中，还原成冶金级硅，再与反应，生成，经过蒸馏和化学还原工艺，得到高纯度的多晶硅。单晶硅生长：将高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，使多晶硅熔化。然后把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，台湾***光刻技术，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。这样就形成了圆柱状的单晶硅晶棒。晶圆成型：将单晶硅棒经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻等工序，制成一片片薄薄的半导体衬底，即晶圆。

半导体晶圆的尺寸在这一步骤中确定。晶圆的尺寸一般以“英寸”为单位。在半导体行业的早期，由于工艺能力的限制，硅棒直径只有3英寸，约合7.62厘米。此后，随着技术进步和生产效率提高，晶圆尺寸不断增大。目前，在半导体制造中使用的直径为12英寸（又称300毫米）。

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在半导体电路中，除了用于可控导电的各种二极管、三极管外，还必须要用绝缘物质将不同的电路隔离开来。对于硅基元素来说，***光刻技术价钱，形成这种绝缘物质的方法就是将硅进行氧化，形成二氧化硅（SiO2）了。

SiO2是自然界中常见的一种材料，也是玻璃的主要元素。SiO2材料的主要特点有：具有高熔点和高沸点（分别为1713 o C和2950o C）不溶于水和部分酸，溶于具有良好的绝缘性、保护性和化学稳定性

由于以上特性，SiO2在芯片制备的多个步骤工艺中被反复使用。芯片工艺中的氧化工艺是在半导体制造过程中，在硅晶圆表面形成一层薄薄的SiO2层的过程。这层氧化层有以下作用：作为绝缘层，阻止电路之间的漏电

作为保护层，防止后续的离子注入和刻蚀过程中对硅晶圆造成损伤

作为掩膜层，***光刻技术加工，定义电路图案

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