MEMS光刻技术制作-半导体测试-甘肃MEMS光刻技术

MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，甘肃MEMS光刻技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

薄膜工艺就是指在半导体晶晶圆片上沉积各种材料，以实现不同电路功能或特性的过程。和前面几个工艺步骤是按工艺过程来命名不同，这一步骤命名方式是按材料的“状态”来命名的。这个命名甚至让人看起来有些费解，从示意图看，半导体器件看上去都是厚厚的一个个器件，哪来的薄膜？

其实为了理解方便，半导体器件结构在图示时经过了抽象和不等比例的放大，实际中半导体器件在晶圆片上非常薄的一层内实现。通常厚度在1微米以内。对于一个8英寸（200毫米）的晶圆片来说，1微米的厚度薄膜的制作，相当于在200米直径的操场上，均匀的堆积1毫米厚的沙子。这层薄膜非常的薄，但功能却非常强大。各个半导体器件之间或是金属连接，或是电场联系，MEMS光刻技术价格，均需要用这些薄膜层实现。薄膜层实现了各器件间复杂贯穿的“阡陌交通”。正是因为这层结构非常的薄，于是就被称作“薄膜”工艺。这么薄的膜层不能通过机械方式来制造，于是，掺杂“沉积”（Deition）工艺被发明出来。

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在半导体工艺里，沉积是指在原子或分子水平上，将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷，将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。

根据实现方法的不同，沉积主要分为物***相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是利用物理方法，将材料源气化成气态原子、分子，或电离成离子，并通过低压气体，在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。

CVD是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物，在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体，MEMS光刻技术加工，以及金属合金等。

为了增强化学反应，CVD也可以与其他方法相结合。如PECVD（等离子增强CVD，就是利用等离子体来化学反应，MEMS光刻技术制作，改善CVD的方法。

根据不同目标和需求，PVD和CVD在实际工艺流程中也可以自由选择。

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光刻技术是一种将掩模板（Mask）上的图形转移到涂有光刻胶的晶圆片上的技术。光刻技术可以将半导体表面上特定的区域去除或者保留，从而构建半导体器件。

光刻步骤主要包括：

设计电路并制作掩模板。这一步一般是通用计算机辅助设计（CAD）软件完成的，在完成电路设计正确性检查（LVS）和设计规则检查（DRC）后，设计图形被转移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超纯石英玻璃基片制成，在基片上，需要透光的地方保持透明，需要遮光的地方用金属遮挡。

涂光刻胶：使晶圆对光敏感。执行这一步骤时，会在晶圆表面均匀涂抹一层对光敏感的物质，光刻胶。光刻胶对光敏感，光照射后会产生化学变化，于是根据光照射与否，光刻胶也形成溶解和不可溶解的部分。

***。将光源发出的光线经过掩模板照射到晶圆片上时，掩模板上的图形也就被转移到了晶圆片上。根据掩模板上图形的不同，光刻胶会溶解形成对应图形。

显影与坚膜。用化学显影液溶解掉光刻胶中可溶解的区域，使可见的图形出现在晶圆片上。显影后再进行高温烘培，使剩余的光刻胶变硬并提高粘附力。

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