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介绍新的650v场截止沟道IGBT并评估了其性能。新的igbt比上一代igbt提供更好的dc和ac特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道igbt可实现***和可靠的逆变器系统。
关键字：igbt，功率器件，电机驱动器，ups，逆变器
绝缘栅极双极性晶体管(igbt)是具有高输入阻抗和大双极性电流能力的少数载流子功率器件。由于这些特性，igbt非常适合电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(ups)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是igbt用于逆变器应用的一项重要功能。
在逆变器驱动ups或电机应用中，igbt如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过igbt的电流快速增加直至饱和。在故障检测和保护功能***前，igbt将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，650v击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级npc拓扑中***平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发650v igbt时，将开关和传导损耗保持在与600v igbt相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。
同时，vce(sat)和开关性能存在权衡取舍。这意味着补偿因较高电压设计导致的vce(sat)增加可能会减慢开关性能，增加系统中的开关损耗。因此，在选择曲线中找到***佳设计点对开发650v igbt至关重要。新的场截止沟道igbt正是为满足这些要求而开发的。它具有650v击穿电压、极低的vce(sat)和短路耐受能力。新igbt的性能已通过系统级评估验证。
场截止沟道技术
场截止沟道技术利用沟道栅结构和高度掺杂n+缓冲层获得沟道穿通特性。借助这些功能，此新的igbt技术实现了比上一代技术更高的单元密度。因此，在给定硅面积下它具有低得多的通态压降。新场截止沟道igbt的电流密度是之前场截止平面技术的两倍以上。图1显示fgh75t65upd、新的75a/650v场截止沟道igbt和fgh75n60uf、75a/600v上一代场截止平面igbt的权衡特性。fgh75t65upd在25℃、75a时实现1.65v的vce(sat)，而fgh75n60uf在相同条件下提供1.9v。考虑到击穿电压增加到650v和活动面积减小，此特性有显著改进，因为较高的阻断电压和较小的尺寸导致vce(sat)增加。此低vce(sat)是新场截止沟道igbt的主要优势。场截止沟道技术还减少了每转换周期的关断能耗，如图1所示。此增强的权衡特性使逆变器设计能够满足较高系统效率的市场需求。尽管硅面积减小，新场截止沟道igbt在因热失控出现故障之前提供5us短路耐受时间，这是上一代igbt无法提供的。新场截止沟道igbt也有较低的关断状态漏电流，***大结温为175℃。