EDS 10IC静电放电发生器针对***模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计，可以对LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相应标准的要求，同时完全满足上述所有标准中***严酷等级的静电电压要求。
特点
>全新三代控制平台 ，触摸屏智能化控制。
>***低电压5V，1V步进精准调节电压
>可完成单次或自动放电测试，可设置次数、频率等参数。
测试连接示意图1 EDS-HBM：
测试连接示意图2 EDS-MM:
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技术参数 |
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HBM 短路电流参数 |
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放电电容 |
100 pF |
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放电电阻 |
1500 W |
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峰值电流Ips |
0.17 A+10% @250 V 0.33 A+10% @500 V 0.67 A+10% @1000 V 1.33 A+10% @2000 V 2.67 A+10% @4000 V |
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上升时间 |
2 ns ~10 ns |
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脉冲宽度 |
150 ns + 20 ns |
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振铃幅度 |
<15%峰值电流 |
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HBM 500欧电阻电流参数 |
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峰值电流Ipr |
375 mA ~550 mA @ 1000V 1.5 A ~2.2 A @ 4000V |
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Ipr/Ips |
≥ 63% |
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上升时间 |
5 ns ~25 ns |
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MM短路电流参数 |
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放电电容 |
200 pF |
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放电电阻 |
0 W |
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峰值电流Ip1 |
0.44 A+20% @25 V 0.88 A+20% @50 V 1.75 A+10% @100 V 3.5 A+10% @200 V 7.0 A+10% @400 V |
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Ip2/Ip1 |
67%~90% |
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周期 |
66 ns ~90 ns |
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MM 500欧电阻电流参数 |
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峰值电流Ipr |
0.85 A ~1.2 A @ 400 V |
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100 ns电流值 I100 |
0.23 A ~0.40A @ 400 V |
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I200/I100 |
30%~55% |
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通用参数 |
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输出电压 |
HBM 5 V ~ 8000 V 5%+5V MM 5 V ~1000V 5%+5V |
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极性 |
正、负或正负交替 |
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频率 |
0.1 Hz -5 Hz |
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触发次数 |
1~999次 |
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触发方式 |
自动，手动，外触发 |
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输入电源 |
AC 100 V ~240 V ，+10% 50 Hz /60 Hz |
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环境温度 |
15℃~35℃ |
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储藏温度 |
-10℃~50℃ |
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相对湿度 |
25%~75% |
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尺寸 |
450 mm x320 mm x190 mm(长x宽x高) |
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重量 |
约10 kg |