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刻蚀

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻***处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

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干法刻蚀

干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，轰击离子束刻蚀机原理，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Pla***a Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，轰击离子束刻蚀机厂家，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

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反应离子刻蚀的工作原理

通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地， 作为阳极， 阴极是功率电极， 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体， 加上大于气体击穿临界值的高频电场， 在强电场作用下，轰击离子束刻蚀机报价， 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞， 当电子能量大到一定程度时， 随机碰撞变为非弹性碰撞， 产生二次电子发射， 它们又进一步与气体分子碰撞， 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时， 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体， 具有很强的化学活性，轰击离子束刻蚀机， 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应， 形成挥发性物质， 达到腐蚀样品表层的目的。同时， 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面， 高能离子在一定的工作压力下， 垂直地射向样品表面， 进行物理轰击， 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性 。

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