大样片磁控溅射镀膜机工作原理-创世威纳科技公司

磁控溅射镀膜机的注意事项

1、保持机器内舱各部位的清洁；

2、关注真空度指标；

3、检查并记录抽真空的时间，如有延长，立刻检查造成的原因；

4、记录溅射功率和时间（一般溅射机的银靶设定功率为0.6千瓦，大样片磁控溅射镀膜机，金靶的设定功率为0.75千瓦，铬的行走速率为9000pps），如有异常，立刻检查造成的原因；

5、根据镀出石英振子的散差，调整遮挡板的各部尺寸；

6、溅镀后的石英振子要用3M胶带检查其牢固度；

7、测试并记录镀好的石英振子主要指标，如：频率、电阻、DLD等；

8、将不良品挑出：电极错位、划伤、脏污、掉银等（工位上要有不良品示意图）。

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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？

靶zhong毒的影响因素

影响靶zhong毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶zhong毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，大样片磁控溅射镀膜机原理，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，大样片磁控溅射镀膜机生产厂家，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，大样片磁控溅射镀膜机工作原理，靶完全zhong毒。

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磁控溅射镀膜机

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ITO 薄膜的磁控溅射靶主要分为InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶两类。在用合金靶制备ITO 薄膜时，由于溅射过程中作为反应气体的氧会和靶发生很强的电化学反应，靶面覆盖一层化合物，使溅射蚀损区域缩得很小(俗称“靶zhong毒”) ，以至很难用直流溅射的方法稳定地制备出优质的ITO 膜。也就是说，采用合金靶磁控溅射时，工艺参数的窗口很窄且极不稳定。陶瓷靶因能***溅射过程中氧的选择性溅射，能稳定地将金属铟和锡与氧的反应物按所需的化学配比稳定地成膜，故无zhong毒现象，工艺窗口宽，稳定性好。但这不等于说陶瓷靶解决了所有的问题，其薄膜光电性能仍然受制于基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数的影响，不同工艺制备出的ITO 薄膜的光电性能相差甚远。因此，开展ITO陶瓷靶磁控溅射工艺参数的优化研究很有意义。