高纯度氟化镁可由碱式碳酸镁焙烧制得。由氧化镁制备氟化镁适用于小规模生产，主要有两种途径。液相反应：1.将F6H2Si溶液和氧化镁反应10～60ｍｉｎ，过滤得到F6H2Si溶液，浓缩结晶得到F6H12MgO6Si；2.将六F6H12MgO6Si在100～500℃分解1～5ｈ，生成F6H2Si固体和SiF4气体及水汽。3.将SiF4气体及水汽用水吸收并水解，过滤得到氟酸溶液返回去制MgSiF6。该方法以F6H2Si代替HF，降低了生产成本，将***物F6H2Si合理运用，利用该方法制得的MgF2含量大于等于98.5％。
中国专利提出了一种采用顶部籽晶泡生法生长大尺寸高纯度氟化镁的方法，在生长晶体的内应力和尺寸方面得到改善，但是顶部籽晶泡生法作为提拉法的一个变种，在生长更大尺寸、更小内应力、生长速率及效率方面仍不能突破提拉法固有的缺陷，依旧无法与下降法相比。下降法是目前生长大尺寸碱土高纯度氟化镁所采用的***为广泛的生长方法，操作工艺简单，适合生长大尺寸氟化物晶体，并且易于实现程序化、自动化。
