中国专利提出了一种采用顶部籽晶泡生法生长大尺寸高纯度氟化镁的方法,在生长晶体的内应力和尺寸方面得到改善,但是顶部籽晶泡生法作为提拉法的一个变种,在生长更大尺寸、更小内应力、生长速率及效率方面仍不能突破提拉法固有的缺陷,依旧无法与下降法相比。下降法是目前生长大尺寸碱土高纯度氟化镁所采用的***为广泛的生长方法,操作工艺简单,适合生长大尺寸氟化物晶体,并且易于实现程序化、自动化。
高纯度氟化镁晶体属于四方晶系,分子式未MgF2,熔点为1255℃,硬度高,机械性能好,化学性能稳定,不易潮解和腐蚀,光学性能方面其主要特点是在真空紫外波段具有较高的透过率,例如120nm透过率仍在50%以上,适合做深紫外和准分子激光器的窗口、聚焦镜等,由于是四方双折射晶体,被广泛应用于光纤通信、波片等光学元件。
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